UV納米壓印現(xiàn)場服務

曲面基底上的納米結構在許多領域都有著重要應用，例如仿生學、柔性電子學和光學器件等。傳統(tǒng)的納米壓印技術通常采用剛性模板，可以實現(xiàn)亞10nm的分辨率，但是模板不能彎折，無法在曲面基底上壓印制備納米結構。而采用彈性模板的軟壓印技術可以在無外界提供壓力下與曲面保形接觸，實現(xiàn)結構在非平面基底上的壓印復制，但是由于彈性模板的楊氏模量較低，所以壓印結構的分辨率和精度都受到限制?；谀壳凹{米壓印的發(fā)展現(xiàn)狀，結合傳統(tǒng)的納米壓印技術和軟壓印技術，中國科學院光電技術研究所團隊發(fā)展了一種基于紫外光固化巰基-烯材料的亞100nm分辨率的復合軟壓印模板的制備方法，該模板包含剛性結構層和彈性基底層。（來自網(wǎng)絡，侵權請聯(lián)系我們進行刪除，謝謝?。┘{米壓印設備可用來進行熱壓花、加壓加熱、印章、聚合物、基板、附加沖壓成型脫模。UV納米壓印現(xiàn)場服務

EVGROUP®|產(chǎn)品/納米壓印光刻解決方案納米壓印光刻的介紹：EVGroup是納米壓印光刻（NIL）的市場領仙設備供應商。EVG開拓了這種非常規(guī)光刻技術多年，掌握了NIL并已在不斷增長的基板尺寸上實現(xiàn)了批量生產(chǎn)。EVG的專有SmartNIL技術通過多年的研究，開發(fā)和現(xiàn)場經(jīng)驗進行了優(yōu)化，以解決常規(guī)光刻無法滿足的納米圖案要求。SmartNIL可提供低至40nm的出色保形壓印結果。岱美作為EVG在中國區(qū)的代理商，歡迎各位聯(lián)系我們，探討納米壓印光刻的相關知識。我們愿意與您共同進步。天津納米壓印國內(nèi)用戶EVG?610和EVG?620NT /EVG?6200NT是具有紫外線納米壓印功能的通用掩模對準系統(tǒng)。

NIL已被證明是在大面積上實現(xiàn)納米級圖案的蕞具成本效益的方法，因為它不受光學光刻所需的復雜光學器件的限制，并且它可以為極小尺寸（小于100分）提供蕞佳圖案保真度nm）結構。EVG的SmartNIL是基于紫外線曝光的全場壓印技術，可提供功能強大的下一代光刻技術，幾乎具有無限的結構尺寸和幾何形狀功能。由于SmartNIL集成了多次使用的軟標記處理功能，因此還可以實現(xiàn)無人能比的吞吐量，并具有顯著的擁有成本優(yōu)勢，同時保留了可擴展性和易于維護的操作。另外，主模板的壽命延長到與用于光刻的掩模相當?shù)臅r間。新應用程序的開發(fā)通常與設備功能的提高緊密相關。

曲面基底上的納米結構在許多領域都有著重要應用，例如仿生學、柔性電子學和光學器件等。傳統(tǒng)的納米壓印技術通常采用剛性模板，可以實現(xiàn)亞10nm的分辨率，但是模板不能彎折，無法在曲面基底上壓印制備納米結構。而采用彈性模板的軟壓印技術可以在無外界提供壓力下與曲面保形接觸，實現(xiàn)結構在非平面基底上的壓印復制，但是由于彈性模板的楊氏模量較低，所以壓印結構的分辨率和精度都受到限制?；谀壳凹{米壓印的發(fā)展現(xiàn)狀，結合傳統(tǒng)的納米壓印技術和軟壓印技術，中國科學院光電技術研究所團隊發(fā)展了一種基于紫外光固化巰基-烯材料的亞100nm分辨率的復合軟壓印模板的制備方法，該模板包含剛性結構層和彈性基底層。SmartNIL是基于紫外線曝光的全域型壓印技術。

SmartNIL是行業(yè)領仙的NIL技術，可對小于40nm*的極小特征進行圖案化，并可以對各種結構尺寸和形狀進行圖案化。SmartNIL與多用途軟戳技術相結合，可實現(xiàn)無人可比的吞吐量，并具有顯著的擁有成本優(yōu)勢，同時保留了可擴展性和易于維護的操作。EVG的SmartNIL兌現(xiàn)了納米壓印的長期前景，即納米壓印是一種用于大規(guī)模制造微米級和納米級結構的低成本，大批量替代光刻技術。注：*分辨率取決于過程和模板。如果需要詳細的信息，請聯(lián)系我們岱美儀器技術服務有限公司。HERCULES ? NIL是完全集成SmartNIL ?的 UV-NIL紫外光納米壓印系統(tǒng)。天津納米壓印國內(nèi)用戶

在納米電子器件中，納米壓印可以用于制備納米線、納米點陣等結構，用于制備納米級的電子器件。UV納米壓印現(xiàn)場服務

納米壓印光刻設備-處理結果：新應用程序的開發(fā)通常與設備功能的提高緊密相關。EVG的NIL解決方案能夠產(chǎn)生具有納米分辨率的多種不同尺寸和形狀的圖案，并在顯示器，生物技術和光子應用中實現(xiàn)了許多新的創(chuàng)新。HRISmartNIL®壓印上的單個像素的1.AFM圖像壓印全息結構的AFM圖像資料來源：EVG與SwissLithoAG合作（歐盟項目SNM）2.通過熱壓花在PMMA中復制微流控芯片資料來源：EVG3.高縱橫比（7：1）的10μm柱陣列由加拿大國家研究委員會提供4.L/S光柵具有優(yōu)化的殘留層，厚度約為10nm資料來源：EVG5.紫外線成型鏡片300μm資料來源：EVG6.光子晶體用于LED的光提取多晶硅的蜂窩織構化（mc-Si）由FraunhoferISE提供7.金字塔形結構50μm資料來源：EVG8.蕞小尺寸的光模塊晶圓級封裝資料來源：EVG9.光子帶隙傳感器光柵 資料來源：EVG（歐盟Saphely項目）10.在強光照射下對HRISmartNIL®烙印進行完整的晶圓照相 資料來源：EVGUV納米壓印現(xiàn)場服務